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中文参数如下：
工厂包装数量：2000
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：12500 mW
封装形式：SOT-32
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：3 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：STMicroelectronics
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