2SB1260T100Q

厂家:
  ROHM Semiconductor
封装:
 MPT3
数量:
 8795  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-89
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2SB1260T100Q PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-243AA
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz
功率 - 最大值:2 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V
电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
晶体管类型:PNP
产品状态:不适用于新设计
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

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