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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:3-SIP
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:1 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 500mA,2V
电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1.2mA,600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
晶体管类型:PNP - 达林顿
产品状态:停产
包装:-
系列:带盒(TB)
品牌:Rohm Semiconductor
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