2SB1186AE

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：50MHz
功率 - 最大值：2 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 1A，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 100mA，1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶体管类型：PNP
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Rohm Semiconductor

以上是2SB1186AE的详细信息，包括2SB1186AE厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

ADTC114ECAQ-7

ADTA114ECAQ-7

DTC015TUBTL

DTA015TUBTL

DTA015EUBTL

DTA023EUBTL

DTA023YUBTL

DTA014TUBTL

DTC015EUBTL

DTC044TUBTL