2SA2182(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-220 SIS
数量：: 7857
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor

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2SA2182(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Bulk
最大功率耗散：2000 mW
封装形式：TO-220 SIS
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 0.1 A at 5V
增益带宽产品fT：80 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：230 V
集电极—基极电压 VCBO：230 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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