2SA2120-O(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-3P
数量：: 7830
说明：: 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 200V 12A

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2SA2120-O(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Bulk
最大功率耗散：200000 mW
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 1 A at 5 V
增益带宽产品fT：25 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：12 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：200 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA2120-O(Q)的详细信息，包括2SA2120-O(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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