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2SA1962-O(Q,T)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P
数量：
 1027  
说明：
 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A
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2SA1962-O(Q,T)-TO-3P图片

2SA1962-O(Q,T) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
最大功率耗散：130 W
集电极连续电流：- 15 A
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：35
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：15 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 230 V
集电极—基极电压 VCBO：230 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1962-O(Q,T)的详细信息，包括2SA1962-O(Q,T)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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