2SA1962-O(Q,T)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P
数量:
 1027  
说明:
 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A
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2SA1962-O(Q,T) PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
最大功率耗散:130 W
集电极连续电流:- 15 A
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:35
增益带宽产品fT:30 MHz
最大直流电集电极电流:15 A
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 230 V
集电极—基极电压 VCBO:230 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1962-O(Q,T)的详细信息,包括2SA1962-O(Q,T)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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