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2SA1931(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220 NIS
数量：
 7362  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP 50V 5A Transistor
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2SA1931(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Bulk
最大功率耗散：2000 mW
封装形式：TO-220 NIS
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：60 MHz
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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