2SA1931(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220 NIS
数量:
 7362  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP 50V 5A Transistor
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2SA1931(Q) PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
包装形式:Bulk
最大功率耗散:2000 mW
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
增益带宽产品fT:60 MHz
最大直流电集电极电流:5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba

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