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2SA1680(TE6,F,M)

厂家：: Toshiba
封装：: LSTM
数量：: 6795
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP 50V 2A Transistor

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2SA1680(TE6,F,M) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
最大功率耗散：900 mW
直流电流增益 hFE 最大值：400
集电极连续电流：- 2 A
封装形式：LSTM
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 50 V
集电极—基极电压 VCBO：- 60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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