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中文参数如下:
工厂包装数量:50
包装形式:Bulk
最大功率耗散:30000 mW
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:120
增益带宽产品fT:70 MHz
最大直流电集电极电流:12 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba
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