2SA1313-Y(TE85L,F)

厂家:
  Toshiba
封装:
 S-Mini
数量:
 1521  
说明:
 两极晶体管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors
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2SA1313-Y(TE85L,F)-S-Mini图片

2SA1313-Y(TE85L,F) PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最大功率耗散:200 mW
直流电流增益 hFE 最大值:120 at 100 mA at 1 V
封装形式:S-Mini
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT:200 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:50 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1313-Y(TE85L,F)的详细信息,包括2SA1313-Y(TE85L,F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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