2SA1163GRT5LFT

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：270 at 2 mA at 6 V
封装形式：S-Mini
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：350 at 2 mA at 6 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：120 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1163GRT5LFT的详细信息，包括2SA1163GRT5LFT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

BCR148E6433HTMA1

ADTC144WCAQ-7

ADTC143ZCAQ-7

ADTC143TCAQ-7

ADTC114ECAQ-7

ADTA114ECAQ-7

DTC015TUBTL

DTA015TUBTL

DTA015EUBTL

DTA023EUBTL