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2SA1160-B(TE6,F,M)

厂家：
  Toshiba
封装：
 LSTM
数量：
 6192  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP 10V 2A Transistor
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2SA1160-B(TE6,F,M)-LSTM图片

2SA1160-B(TE6,F,M) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：3000
最大功率耗散：900 mW
封装形式：LSTM
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 0.5 A at 1V
增益带宽产品fT：140 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V
集电极—基极电压 VCBO：20 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1160-B(TE6,F,M)的详细信息，包括2SA1160-B(TE6,F,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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