点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Bulk
最大功率耗散:0.5 W
封装形式:TO-18
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 10 mA at 1 V
增益带宽产品fT:40 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N914的详细信息,包括2N914厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!