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2N7002K-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 776754  
说明：
 MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V
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2N7002K-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

2N7002K-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：2N7002K-GE3
典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：0.35 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：100 mS
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 Ohms
漏极连续电流：300 mA
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N7002K-T1-GE3的详细信息，包括2N7002K-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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