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中文参数如下：
包装形式：Box
最大功率耗散：65000 mW
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：20 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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