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中文参数如下：
工厂包装数量：400
包装形式：Box
最大功率耗散：75 W
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：5 MHz
最大直流电集电极电流：10 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：70 V
晶体管极性：PNP
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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