2N5912-E3

中文参数如下：

包装形式：Bulk
封装形式：TO-78
安装风格：Through Hole
配置：Dual
闸/源击穿电压：- 25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：JFET
制造商：Vishay

以上是2N5912-E3的详细信息，包括2N5912-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

最新产品：

CDC328ANS

T550B686M030AH

PI3WVR31313AZLE

ADM2865EBRNZ-RL7

IKQ120N60TAXKSA1

PWR163S-25-10R0JE

MAX44243AUD+

FK28C0G1H822JN000

AGL1000V2-CS281I

DSC612RA3A-0138