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2N5819

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 8649
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Med Power

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2N5819 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：625 mW
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：150 at 2 mA at 2 V
增益带宽产品fT：135 MHz
最大直流电集电极电流：0.75 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：PNP
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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