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2N5551TFR_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 8397  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5551TFR_Q-TO-92图片

2N5551TFR_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：180 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5551TFR_Q的详细信息，包括2N5551TFR_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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