2N5401CYTA

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 7878
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

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2N5401CYTA PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流电流增益 hFE 最大值：240
集电极连续电流：- 600 mA
封装形式：TO-92-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 1 mA at 5 V, 60 at 10 mA at 5 V, 50 at 50 mA at 5 V
增益带宽产品fT：400 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：150 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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