2N5401_D26Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 7803  
说明:
 两极晶体管 - BJT
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2N5401_D26Z-TO-92图片

2N5401_D26Z PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:30 at 1 mA at 5 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
增益带宽产品fT:400 MHz
最大直流电集电极电流:0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V
集电极—基极电压 VCBO:160 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5401_D26Z的详细信息,包括2N5401_D26Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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