2N5306

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 5203
说明：: 达林顿晶体管 NPN Darl Amp

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2N5306 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
最小工作温度：- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：7000
集电极连续电流：1.2 A
包装形式：Box
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集电极截止电流：0.1 uA
最大直流电集电极电流：0.3 A
集电极—基极电压 VCBO：25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Central Semiconductor

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