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2N4857A

厂家：
  Central Semiconductor
封装：
 TO-18
数量：
 6957  
说明：
 JFET Leaded JFET
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2N4857A-TO-18图片

2N4857A PDF参数资料

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中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 Ohms
功率耗散：360 mW
最大工作温度：+ 200 C
最大漏极/栅极电压：40 V
闸/源截止电压：2 V to 6 V
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
配置：Single
闸/源击穿电压：40 V
漏源电压 VDS：40 V
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：20 mA to 100 mA
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是2N4857A的详细信息，包括2N4857A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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