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中文参数如下:
电阻汲极/源极 RDS(导通):40 Ohms
功率耗散:360 mW
最大工作温度:+ 200 C
最大漏极/栅极电压:40 V
闸/源截止电压:2 V to 6 V
封装形式:TO-18
安装风格:Through Hole
配置:Single
闸/源击穿电压:40 V
漏源电压 VDS:40 V
漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):20 mA to 100 mA
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
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