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中文参数如下:
包装形式:Ammo Pack
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:20 at 0.1 mA at 1 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
增益带宽产品fT:250 MHz
最大直流电集电极电流:0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor
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