2N4400_S00Z

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 7299
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被浏览0次.

2N4400_S00Z PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流电流增益 hFE 最大值：150
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N4400_S00Z的详细信息，包括2N4400_S00Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：