2N4341

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-18
数量:
 6579  
说明:
 JFET 50V 3.6mA
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2N4341-TO-18图片

2N4341 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:TO-18
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
安装类型:通孔
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:325 mW
电阻 - RDS(On):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6pF @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):2 V @ 100 nA
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):3 mA @ 15 V
漏源电压(Vdss):50 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):50 V
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:Central Semiconductor Corp

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