2N4123BU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 6858
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被浏览0次.

2N4123BU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 2mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

以上是2N4123BU的详细信息，包括2N4123BU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：