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中文参数如下：
工厂包装数量：2000
包装形式：Box
直流电流增益 hFE 最大值：150
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：60
增益带宽产品fT：300 MHz
集电极—射极饱和电压：50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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