2N3714

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-3
数量：: 5229
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN GP Power

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2N3714 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Sleeve
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：150 W
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：4 MHz
最大直流电集电极电流：10 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：NPN
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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