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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Bulk
集电极连续电流:0.45 A
封装形式:TO-18
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 10 mA at 10 V
增益带宽产品fT:150 MHz
集电极—射极饱和电压:120 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V
集电极—基极电压 VCBO:120 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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