2DB1182Q-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-252-3
数量：: 19824
说明：: 两极晶体管 - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A

一、本商品被浏览0次.

2DB1182Q-13 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：110MHz
功率 - 最大值：10 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V
电流 - 集电极截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 200mA，2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Diodes Incorporated

以上是2DB1182Q-13的详细信息，包括2DB1182Q-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：