23LCV512-I/SN

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 SOIC-8
数量:
 7224  
说明:
 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
23LCV512-I/SN-SOIC-8图片

23LCV512-I/SN PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

类型:SPI Serial SRAM
存储类型:CMOS
最大时钟频率:20 MHz
接口:SPI, SDI
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
最大工作电流:3 mA
电源电压-最小:2.5 V
电源电压-最大:5.5 V
组织:64 k x 8
存储容量:512 kbit
制造商:Microchip

以上是23LCV512-I/SN的详细信息,包括23LCV512-I/SN厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 23LCV512-I/ST图片

    23LCV512-I/ST

    静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

  • 23LCV512T-E/SN图片

    23LCV512T-E/SN

    静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

  • 23LCV512T-E/ST图片

    23LCV512T-E/ST

    静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

  • 23LCV512T-I/SN图片

    23LCV512T-I/SN

    静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

  • 23LCV512T-I/ST图片

    23LCV512T-I/ST

    静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

  • 暂无电子元件图

    23M728

    电位计 RESISTIVE & OPTICAL

  • 暂无电子元件图

    23M875

    工业移动感应器和位置传感器 RESISTIVE & OPTICAL

  • 暂无电子元件图

    23MA368

    薄膜电容器 POLY MET 400V .068uF

  • 暂无电子元件图

    23MA410

    薄膜电容器 POLY MET 250V .10uF

  • 暂无电子元件图

    23MA415

    薄膜电容器 POLY MET 250V .15uF

  • 暂无电子元件图

    23MA422

    薄膜电容器 POLY MET 250V .22uF

  • 暂无电子元件图

    23MA433

    薄膜电容器 POLY MET 250V .33uF

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC