1SS187,LF

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 S-Mini
数量:
 1845  
说明:
 DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
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1SS187,LF PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:S-Mini
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 80 V
反向恢复时间 (trr):4 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io):100mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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