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1SS187,LF

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: S-Mini
数量：: 1845
说明：: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：S-Mini
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 80 V
反向恢复时间 (trr)：4 ns
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io)：100mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：80 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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