1N914B A0G

厂家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封装：: DO-35
数量：: 2034
说明：: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-35
封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 75 V
反向恢复时间 (trr)：4 ns
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：720 mV @ 5 mA
电流 - 平均整流 (Io)：150mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：带盒（TB）
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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