1N6622US

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 3453  
说明:
 DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:A-MELF
封装/外壳:SQ-MELF,A
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:10pF @ 10V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 660 V
反向恢复时间 (trr):30 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1.2 A
电流 - 平均整流 (Io):1.2A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):660 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Microchip Technology

以上是1N6622US的详细信息,包括1N6622US厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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