1N5806E3

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 3417
说明：: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL

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1N5806E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：A，轴向
封装/外壳：轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：25pF @ 10V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1 μA @ 150 V
反向恢复时间 (trr)：25 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：875 mV @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：150 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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