1N5618US

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 3210
说明：: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

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1N5618US PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：D-5A
封装/外壳：SQ-MELF，A
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：2 μs
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 3 A
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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