1N4757A_R2_00001

厂家:
  Panjit International Inc.
封装:
 DO-41
数量:
 6444  
说明:
 SILICON ZENER DIODE
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1N4757A_R2_00001 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:DO-41
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 38.8 V
阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
功率 - 最大值:1 W
容差:±5%
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V
产品状态:在售
包装:1N4728A
系列:卷带(TR),剪切带(CT)
品牌:Panjit International Inc.

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