1N4448W RHG

厂家:
  Taiwan Semiconductor Corporation
封装:
 SOD-123F
数量:
 2079  
说明:
 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F
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1N4448W RHG PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:SOD-123F
封装/外壳:SOD-123F
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 75 V
反向恢复时间 (trr):4 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io):150mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation

以上是1N4448W RHG的详细信息,包括1N4448W RHG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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