1N4150W-G3-08

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 SOD-123
数量:
 2394  
说明:
 DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
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1N4150W-G3-08 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:SOD-123
封装/外壳:SOD-123
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:2.5pF @ 0V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 50 V
反向恢复时间 (trr):4 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
电流 - 平均整流 (Io):200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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