| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BLS2731-110,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICP |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 ... |
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BLS2731-20 TRAY |
NXP Semiconductors
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SOT-445 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：40，集电极—发射极最大电压 V... |
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BLS2731-20,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 ... |
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BLS2731-50 TRAY |
NXP Semiconductors
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SOT-422 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：40，集电极—发射极最大电压 V... |
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BLS2731-50,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 ... |
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BLT50 T/R |
NXP Semiconductors
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SC-73 |
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射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，直流集电极/Base Gain hfe Min：25 ... |
SOT223-1.jpg)
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BLT50,115 |
NXP Semiconductors
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SC-73 |
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射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 -... |
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BLT70 T/R |
NXP Semiconductors
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SOT-223 |
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射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，直流集电极/Base Gain hfe Min：25，... |
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BLT70,115 |
NXP Semiconductors
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SC-73 |
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射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：8 V，发射极 - ... |
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BLT80,115 |
NXP Semiconductors
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SC-73 |
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射频双极电源晶体管 NPN 7.5V 250mA UHF |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 -... |
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BLT81 T/R |
NXP Semiconductors
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SOT-223 |
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射频双极电源晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，直流集电极/Base Gain hfe Min：25，... |
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BLT81,115 |
NXP Semiconductors
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SC-73 |
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射频双极电源晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：9.5 V，发射极 ... |
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BLS3135-10 TRAY |
NXP Semiconductors
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SOT-445 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：40，集电极—发射极最大电压 V... |
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BLS3135-10,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 V，功率耗散：34000 mW，封装形式：S... |
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BLS3135-20 TRAY |
NXP Semiconductors
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SOT-422 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：40，集电极—发射极最大电压 V... |
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BLS3135-20,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 ... |
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BLS3135-65 TRAY |
NXP Semiconductors
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SOT-422 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：40，集电极—发射极最大电压 V... |
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BLS3135-65,114 |
NXP Semiconductors
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CDFM2 |
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射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 ... |
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BLW96/01,112 |
NXP Semiconductors
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CRFM4 |
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射频双极电源晶体管 Dual N-CH 340W 10mA |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，功率耗散：340 W，封装形式：SOT-121B，包装形式：Tube，工厂包装数量：20，晶体管极性：NPN，... |
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BLW98 |
Advanced Semiconductor, Inc.
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SOT-122A |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
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| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：860 MH... |
