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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NESG250134-EVPW04 |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，包装形式：Box，... |
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NESG250134-T1-AZ |
CEL
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3-PowerMiniMold |
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射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：500 mA，功率耗散：1.5 W，安装风格... |
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NESG260234-AZ |
CEL
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174 |
射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：600 mA，功率耗散：1.9 W，安装风格... |
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NESG260234-EV09 |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，包装形式：Box，... |
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NESG260234-EVPW04 |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，... |
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NESG260234-EVPW04-A |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Power Transistor Eval Board |
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| 参数：制造商：CEL，... |
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NESG260234-T1-AZ |
CEL
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3-PowerMiniMold |
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射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：600 mA，功率耗散：1.9 W，安装风格... |
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NESG270034-AZ |
CEL
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245 |
射频硅锗晶体管 NPN Medium Output |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：750 mA，功率耗散：1.9 W，安装风格... |
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NESG270034-EV09-AZ |
CEL
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射频硅锗晶体管 For NESG270034-AZ |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：750 mA，功率耗散：1.9 W，安装风格... |
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NESG270034-T1-AZ |
CEL
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3-PowerMiniMold |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Med Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，封装形式：Power Mini-Mold，包装形式：Tape，最大工作温度：+ 150 C，最小工作温度... |
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NESG303100G |
CEL
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射频硅锗晶体管 2.4GHz to 5.8GHz OSC GERMANIUM HBT |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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NESG3031M05 |
CEL
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M05 |
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射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，工厂包装数量：50，... |
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NESG3031M05-A |
CEL
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SOT-343 |
114 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG3031M05-EVNF16 |
CEL
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M05 |
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射频硅锗晶体管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 1.6 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF24 |
CEL
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M05 |
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射频硅锗晶体管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 2.4 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF58 |
CEL
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M05 |
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射频硅锗晶体管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF58-A |
CEL
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射频硅锗晶体管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，... |
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NESG3031M05-T1-A |
CEL
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M05 |
405 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：150 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，包装形式：Reel，工厂包装数量：3... |
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NESG3031M14-A |
CEL
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SOT-343 |
54 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG3031M14-T3-A |
CEL
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M14 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：150 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M14，包装形式：Reel，工厂包装数量：1... |
