图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NESG204619-A | CEL | 55 | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:40 mA,功率耗散:200 mW,安装风格... | ||||||
NESG204619-T1-A | CEL | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,... | ||||||
NESG2046M33-A | CEL | 3 针 SuperMiniMold(M33) | 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:40 mA,功率耗散:130 mW,安装风格... | ||||||
NESG2046M33-T3-A | CEL | 3 针 SuperMiniMold(M33) | 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Tape,... | ||||||
NESG2101M05 | CEL | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | ||||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,工厂包装数量:50,... | ||||||
NESG2101M05-A | CEL | M05 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2101M05-EVPW24 | CEL | 射频硅锗晶体管 For NESG2101M05-A Power at 2.4 GHz | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,... | ||||||
NESG2101M05-EVPW24-A | CEL | 射频硅锗晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,... | ||||||
NESG2101M05-T1 | CEL | M05 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,... | ||||||
NESG2101M05-T1-A | CEL | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:0.5 W,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,工厂包装数... | ||||||
NESG2101M16 | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2101M16-A | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,... | ||||||
NESG2101M16-A | CEL | SOT-343 | 120 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2101M16-T3-A | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:190 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1... | ||||||
NESG210719-A | CEL | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:100 mA,功率耗散:200 mW,安装风... | ||||||
NESG210719-T1-A | CEL | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:0.2 W,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,... | ||||||
NESG2107M33-A | CEL | 3 针 SuperMiniMold(M33) | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:100 mA,功率耗散:130 mW,安装风... | ||||||
NESG2107M33-T3-A | CEL | 3 针 SuperMiniMold(M33) | 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M33,包装形式:Reel,工厂包装数量:1... | ||||||
NESG250134-AZ | CEL | 164 | 射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:2.8 V,集电极连续电流:500 mA,功率耗散:1.5 W,安装风格... | ||||||
NESG250134-EV09 | CEL | 射频硅锗晶体管 For NESG250134-AZ at 900 MHz | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,... | ||||||
NESG250134-EV09-AZ | CEL | 射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,... |
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