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点击查看NESG204619-A参考图片 NESG204619-A CEL 55 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:40 mA,功率耗散:200 mW,安装风格...
NESG204619-T1-A CEL 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,...
NESG2046M33-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M33) 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:40 mA,功率耗散:130 mW,安装风格...
NESG2046M33-T3-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M33) 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Tape,...
NESG2101M05 CEL 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,RoHS:否,工厂包装数量:50,...
点击查看NESG2101M05-A参考图片 NESG2101M05-A CEL M05 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
点击查看NESG2101M05-EVPW24参考图片 NESG2101M05-EVPW24 CEL 射频硅锗晶体管 For NESG2101M05-A Power at 2.4 GHz
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,...
NESG2101M05-EVPW24-A CEL 射频硅锗晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,...
NESG2101M05-T1 CEL M05 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,...
NESG2101M05-T1-A CEL SOT-343 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:0.5 W,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,工厂包装数...
NESG2101M16 CEL M16 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2101M16-A
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,...
点击查看NESG2101M16-A参考图片 NESG2101M16-A CEL SOT-343 120 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
NESG2101M16-T3-A CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:190 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1...
点击查看NESG210719-A参考图片 NESG210719-A CEL 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:100 mA,功率耗散:200 mW,安装风...
NESG210719-T1-A CEL 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:0.2 W,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,...
NESG2107M33-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M33) 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:100 mA,功率耗散:130 mW,安装风...
NESG2107M33-T3-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M33) 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:130 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M33,包装形式:Reel,工厂包装数量:1...
NESG250134-AZ CEL 164 射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:2.8 V,集电极连续电流:500 mA,功率耗散:1.5 W,安装风格...
NESG250134-EV09 CEL 射频硅锗晶体管 For NESG250134-AZ at 900 MHz
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,...
NESG250134-EV09-AZ CEL 射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,...

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