图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NESG2021M05-A | CEL | SOT-343 | 309 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2021M05-EVNF58 | CEL | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 For NESG2021M05-A Noise Fig at 5.8 GHz | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2021M05-T1-A | CEL | M05 | 134 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,包装形式:Reel,最大工作温度:+... | ||||||
NESG2021M16 | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M16-A | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,... | ||||||
NESG2021M16-A | CEL | SOT-343 | 296 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2021M16-T3-A | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1... | ||||||
NESG2030M04 | CEL | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:80 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,... | ||||||
NESG2030M04-A | CEL | M04 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:80 mW,安装风格:... | ||||||
NESG2030M04-EVNF16 | CEL | 射频硅锗晶体管 For NESG2030M04 1.6G | ||||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,包装形式:Box,... | ||||||
NESG2030M04-T2-A | CEL | M04 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:80 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,工厂包装数... | ||||||
NESG2030M16 | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:500,... | ||||||
NESG2030M16-A | NEC/CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:NEC,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,... | ||||||
NESG2030M16-T3-A | NEC/CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:NEC,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1... | ||||||
NESG2031M05 | NEC/CEL | M05 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:NEC,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,... | ||||||
NESG2031M05-A | CEL | SOT-343 | 250 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2031M05-EVNF58 | CEL | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 For NESF2031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2031M05-T1-A | CEL | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,最大工作... | ||||||
NESG2031M16 | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2031M16-A | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,... | ||||||
NESG2031M16-A | CEL | SOT-343 | 143 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | ||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格... | ||||||
NESG2031M16-T3-A | CEL | M16 | 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1... |
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