购物车0种商品
IC邮购网-IC电子元件采购商城
图片 型号 品牌 封装 数量 描述 PDF资料
点击查看NESG2021M05-A参考图片 NESG2021M05-A CEL SOT-343 309 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
点击查看NESG2021M05-EVNF58参考图片 NESG2021M05-EVNF58 CEL SOT-343 射频硅锗晶体管 For NESG2021M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
NESG2021M05-T1-A CEL M05 134 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,包装形式:Reel,最大工作温度:+...
NESG2021M16 CEL M16 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M16-A
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,...
点击查看NESG2021M16-A参考图片 NESG2021M16-A CEL SOT-343 296 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
NESG2021M16-T3-A CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1...
NESG2030M04 CEL SOT-343 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:80 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,...
点击查看NESG2030M04-A参考图片 NESG2030M04-A CEL M04 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:80 mW,安装风格:...
NESG2030M04-EVNF16 CEL 射频硅锗晶体管 For NESG2030M04 1.6G
参数:制造商:CEL,RoHS:否,包装形式:Box,...
点击查看NESG2030M04-T2-A参考图片 NESG2030M04-T2-A CEL M04 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:80 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,工厂包装数...
NESG2030M16 CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:500,...
NESG2030M16-A NEC/CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:NEC,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,...
NESG2030M16-T3-A NEC/CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:NEC,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1...
NESG2031M05 NEC/CEL M05 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:NEC,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,...
点击查看NESG2031M05-A参考图片 NESG2031M05-A CEL SOT-343 250 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
点击查看NESG2031M05-EVNF58参考图片 NESG2031M05-EVNF58 CEL SOT-343 射频硅锗晶体管 For NESF2031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:否,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
点击查看NESG2031M05-T1-A参考图片 NESG2031M05-T1-A CEL SOT-343 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT-343,包装形式:Reel,最大工作...
NESG2031M16 CEL M16 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2031M16-A
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,工厂包装数量:50,...
点击查看NESG2031M16-A参考图片 NESG2031M16-A CEL SOT-343 143 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:35 mA,功率耗散:175 mW,安装风格...
NESG2031M16-T3-A CEL M16 射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M16,包装形式:Reel,工厂包装数量:1...

3/6 首页 上页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 下页 尾页 

IC电子元件查询
IC邮购网电子元件品质保障