| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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2SB1316TL | ROHM Semiconductor | CPT3 | 2,500 | 达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|PNP - 达林顿|2 A|100 V... | ||||||
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2SB852KT146B | ROHM Semiconductor | SMT3 | 61 | 达林顿晶体管 DARL PNP 32V 0.3A | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|PNP - 达林顿|300 mA|32 V|1.... | ||||||
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2SB1448-7100 | Shindengen | ITO-3P | 达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SB1448-7112 | Shindengen | ITO-3P | 达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SB1474TL | ROHM Semiconductor | CPT3 | 达林顿晶体管 DARL PNP 80V 4A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）|-|不适用于新设计|PNP - 达林顿|4 A|80 V|1.5V @ 4mA，2A|100μA（ICBO）... | ||||||
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2SB1282-4100 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=-100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，RoHS：否，晶体管极性：PNP，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：Through Hole，封装形式：ITO-220，包装... | ||||||
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2SB1284-4000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-10 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SB1285-7100 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SB1285-7112 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1788-4000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极 - 基极电压 VEBO... | ||||||
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2SD1788-7000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1788-7012 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1788-7100 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1788-7112 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1789-4000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1789-7000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1789-7012 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1789-7100 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1789-7112 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1790-7000 | Shindengen | ITO-220 | 达林顿晶体管 V=60 IC=4 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：70 V，发射极 ... | ||||||
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