| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BC517_L34Z | Fairchild Semiconductor | TO-92 | 达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BC517_Q | Fairchild Semiconductor | TO-92 | 达林顿晶体管 NPN DAR 30V 1.2A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极... | ||||||
,TO-226_straightlead.jpg)
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BC517G | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | 达林顿晶体管 1A 30V NPN | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|30 V|1V @ 100μA，100mA|500nA|30000 @ 20mA，2V|625 mW|... | ||||||
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BC517RL1 | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | 达林顿晶体管 1A 30V NPN | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|30 V|1V @ 100μA，100mA|500nA|30000 @ 20mA，2V|625... | ||||||
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BC517RL1G | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | 达林顿晶体管 1A 30V NPN | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）,剪切带（CT）|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|30 V|1V @ 100μA，100mA|500nA|30000 @ 20m... | ||||||
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BC517ZL1 | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | 达林顿晶体管 1A 30V NPN | ||
| 参数：onsemi|带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|30 V|1V @ 100μA，100mA|500nA|30000 @ 20mA，2V|625... | ||||||
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BC517ZL1G | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | 达林顿晶体管 1A 30V NPN | ||
| 参数：onsemi|带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|30 V|1V @ 100μA，100mA|500nA|30000 @ 20mA，2V|625... | ||||||
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BCP 49 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BCV 26 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 17990 | 达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 27 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 16000 | 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 28 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT89 | 达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTORS | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|PNP - 达林顿|500 mA|30 V... | ||||||
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BCV 29 E6327 | Infineon Technologies | SOT-89 | 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 46 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 8634 | 达林顿晶体管 AF Trans Darlington PNP 60V 0.5A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 47 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 达林顿晶体管 AF Trans Darlington NPN 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 47 E6433 | Infineon Technologies | SOT-23 | 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 48 E6327 | Infineon Technologies | SOT-89 | 达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV 49 E6327 | Infineon Technologies | SOT-89 | 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - ... | ||||||
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BCV49TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-89-3 | 975 | 达林顿晶体管 PNP Darlington | |
| 参数：Diodes Incorporated|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|500 mA|60 V|1... | ||||||
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BCV49 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - 基极电压 ... | ||||||
SOT89.jpg)
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BCV49,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 1,813 | 达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON | |
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|Automotive, AEC-Q101|在售|NPN - ... | ||||||
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