图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ULN2004AIDRG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2004AIN | Texas Instruments | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 3,864 | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2004AINE4 | Texas Instruments | PDIP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2001A | STMicroelectronics | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 5,351 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2001D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:过渡期间,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VC... | ||||||
ULN2001D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 14,701 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2002A | STMicroelectronics | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 4,413 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2002AN | Texas Instruments | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2002ANE4 | Texas Instruments | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2002D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2002D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 11,484 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2003A | STMicroelectronics | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 9,173 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:... | ||||||
ULN2003AD | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 1,358 | 达林顿晶体管 Darlington | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ADE4 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 达林顿晶体管 Darlington | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ADG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 211 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ADR | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 88,325 | 达林顿晶体管 Darlington | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 47,967 | 达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY | ||
参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,最大直流电集电极电流:0.5 A,最大... | ||||||
ULN2003ADRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 达林顿晶体管 Darlington | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ADRG3 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 1 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集电... | ||||||
ULN2003ADRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... |
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