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点击查看ULN2004AIDRG4参考图片 ULN2004AIDRG4 Texas Instruments SOIC-16 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2004AIN参考图片 ULN2004AIN Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) 3,864 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2004AINE4参考图片 ULN2004AINE4 Texas Instruments PDIP-16 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2001A参考图片 ULN2001A STMicroelectronics 16-DIP(0.300",7.62mm) 5,351 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2001D1参考图片 ULN2001D1 STMicroelectronics SO-16 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:过渡期间,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VC...
点击查看ULN2001D1013TR参考图片 ULN2001D1013TR STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 14,701 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2002A参考图片 ULN2002A STMicroelectronics 16-DIP(0.300",7.62mm) 4,413 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2002AN参考图片 ULN2002AN Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2002ANE4参考图片 ULN2002ANE4 Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2002D1参考图片 ULN2002D1 STMicroelectronics SO-16 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2002D1013TR参考图片 ULN2002D1013TR STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 11,484 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2003A参考图片 ULN2003A STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 9,173 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
点击查看ULN2003AD参考图片 ULN2003AD Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1,358 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ADE4参考图片 ULN2003ADE4 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ADG4参考图片 ULN2003ADG4 Texas Instruments SOIC-16 211 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ADR参考图片 ULN2003ADR Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 88,325 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ADR2G参考图片 ULN2003ADR2G ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 47,967 达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY
参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,最大直流电集电极电流:0.5 A,最大...
点击查看ULN2003ADRE4参考图片 ULN2003ADRE4 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ADRG3参考图片 ULN2003ADRG3 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1 达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集电...
点击查看ULN2003ADRG4参考图片 ULN2003ADRG4 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...

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