| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ULN2004AIDRG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 3,864 | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINE4 | Texas Instruments | PDIP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2001A | STMicroelectronics | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 5,351 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2001D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：过渡期间，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VC... | ||||||
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ULN2001D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 14,701 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2002A | STMicroelectronics | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 4,413 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2002AN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2002ANE4 | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2002D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2002D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 11,484 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2003A | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 9,173 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULN2003AD | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,358 | 达林顿晶体管 Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darlington | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 211 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 88,325 | 达林顿晶体管 Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 47,967 | 达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，最大直流电集电极电流：0.5 A，最大... | ||||||
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ULN2003ADRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darlington | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADRG3 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集电... | ||||||
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ULN2003ADRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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