| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ULN2804AFWG(O,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 8-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ULN2804APG(5,M) | Toshiba | DIP-18 | 达林顿晶体管 8CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：DIP-18，工厂包装数量：800，... | ||||||
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ULN2804APG(O,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 8-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Tray，... | ||||||
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ULN2804APG(O,N,HZN | Toshiba | 达林顿晶体管 8-Ch 500mA 50V NPN Darlington Trans | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
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ULN2805A | STMicroelectronics | PDIP-18 | 达林顿晶体管 Eight NPN Array | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，配置：Octal，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集电极电... | ||||||
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ULN2004AINSE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Dar Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINSG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Dar Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINSR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINSRE4 | Texas Instruments | SOP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINSRG4 | Texas Instruments | SOP-16 | 1946 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AFWG(5,EL,M | Toshiba | SOP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... | ||||||
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ULN2004AFWG(5,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：2000，... | ||||||
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ULN2004AFWG(O,EL,M | Toshiba | 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ULN2004AFWG(O,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... | ||||||
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ULN2004AFWG(O,NEHZ | Toshiba | 2000 | 达林顿晶体管 7-Ch 500mA 50V NPN Darlington Trans | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
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ULN2004AID | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3,315 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIDE4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIDG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 1106 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIDR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIDRE4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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