| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SN75469DRE4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1... | ||||||
|
SN75469DRG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1... | ||||||
|
SN75469N | Texas Instruments | PDIP-16 | 1772 | 达林顿晶体管 High V Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1... | ||||||
|
|
SN75469NE4 | Texas Instruments | PDIP-16 | 801 | 达林顿晶体管 High V Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1... | ||||||
|
SMMBTA13LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 20,990 | 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V | |
| 参数：onsemi|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|300 mA|30 V|1.5V @ 100μA，1... | ||||||
|
|
SMMBTA14LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 2,811 | 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V | |
| 参数：onsemi|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|300 mA|30 V|1.5V @ 100μA，1... | ||||||
|
|
SMMBT6427LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 40,867 | 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN PBFR | |
| 参数：onsemi|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|500 mA|40 V|1.5V @ 500μA，5... | ||||||
|
|
SMMBTA64LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 达林顿晶体管 SS DL XSTR PNP 30V | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|在售|PNP - 达林顿|500 mA|30 V|1.5V @ 100μA，100mA|100nA（ICBO）|20000 @ ... | ||||||
|
SGSD100 | STMicroelectronics | TO-247-3 | 达林顿晶体管 NPN Power Darlington | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|NPN - 达林顿|25 A|80 V|3.5V @ 80mA，20A|500μA|500 @ 10A，3... | ||||||
|
|
SGSD200 | STMicroelectronics | TO-247-3 | 达林顿晶体管 PNP Power Darlington | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|PNP - 达林顿|25 A|80 V|3.5V @ 80mA，20A|500μA|500 @ 10A，3... | ||||||
|
SMBTA 14 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 7675 | 达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... | ||||||
|
ULQ2001A | STMicroelectronics | 16-DIP | 达林顿晶体管 Seven darlington 3V SUPPLY | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|7 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V @ 500μA，350mA|-|1000 @ 350mA... | ||||||
|
ULQ2001D1013TR | STMicroelectronics | 16-SO | 达林顿晶体管 SEVEN DARLINGTON ARRAYS | ||
| 参数：STMicroelectronics|卷带（TR）,剪切带（CT）|-|停产|7 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V @ 500μA，350mA|-|... | ||||||
|
ULQ2003A | STMicroelectronics | PDIP-16 | 2174 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
|
ULQ2003AD | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darlington | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULQ2003ADG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULQ2003ADR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 63,297 | 达林顿晶体管 Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
ULQ2003ADR2G | ON Semiconductor | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 100 | 达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，最大直流电集电极电流：0.5 A，最大... | ||||||
|
|
ULQ2003ADRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULQ2003AN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 4,141 | 达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
33/84 首页 上页 [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] 下页 尾页
